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參數(shù)資料
| 型號： | KMB060N60PA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | N通道MOS場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 493K |
| 代理商： | KMB060N60PA |
2007. 8. 9
4/6
KMB060N60PA
Revision No : 2
D
D
Gate - Charge
Qg
(nC)
Fig 8. C - V
DS
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
0
10
6
2
4
8
80
40
60
100
20
0
Fig 7. Qg - V
DS
Fig 9. Safe Operation Area
G
G
Gate - Charge
Qg
(nC)
G
G
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
10
20
30
40
50
10
1
10
1
10
3
10
-1
10
0
10
0
10
2
10
3
10
2
10
-1
f = 1MHz
V
GS
= 0V
Crss
1ms
10ms
DC
100
μ
s
Square Wave Pulse Duration (sec)
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
0.003
0.01
0.1
1
Fig 11. R
th
1
/t
2
j(max)
c
- R
D
t
1
t
2
DM
P
Single Pulse
T
C
Coss
Ciss
Fig 9. I
D
- T
j
D
D
0
20
10
30
40
50
60
70
25
50
75
100
125
150
175
R
DSON
lmts
- Duty Factor, D= t
/t
T
- T
=
thJC
=
Duty=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Junction Temperature
Tj
( C)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB2D0N60SA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D0P30SA | P-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D5PS30QA | SBD and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB4D0N30SA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMB6D0DN30QA | Dual N-Ch Trench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB060N60PA_08 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| KMB075N75P | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-220AB PACKAGE |
| KMB080N75PA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| KMB0A-21-A10SN-A101 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:KM AUSTRALIAN PRODUCT - Bulk |
| KMB110F | 制造商:ASEMI 制造商全稱:ASEMI 功能描述:Schottky Surface Mount Flat Bridge Rectifier |
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