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參數(shù)資料
| 型號： | KMB060N60PA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | N通道MOS場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 493K |
| 代理商： | KMB060N60PA |
2007. 8. 9
3/6
KMB060N60PA
Revision No : 2
Fig 1. I
D
- V
DS
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
0
2
4
6
8
10
0
40
80
120
150
180
D
D
Fig 3. I
D
- V
GS
Gate - Source Voltage V
GS
(V)
D
D
4.5V
4V
3.5V
3V
2.5V
V
GS
=5V
Fig 2. R
DS(ON)
- I
D
Drain Current I
D
(A)
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
25
D
D
)
Common Source
Tc=25 C
Pulse Test
Common Source
Tc=25 C
Pulse Test
V
GS
=10V
0
2
4
6
8
10
0
40
80
120
160
200
V
GS
=15V
Fig 4. R
DS(ON)
- Tj
0
50
-50
100
150
N
0.2
0.6
2.2
1.0
1.4
1.8
Junction Temperature Tj ( )
C
V
GS
= 10V
I
DS
= 30A
Fig 5. Vth
- Tj
0
50
-50
100
150
N
0.6
0.4
0.8
1
1.2
1.4
Junction Temperature Tj ( )
C
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
Fig 6. I
DR
- V
DSF
0.2
0.4
0.8
0.6
1.2
1.0
1.4
R
S
(
Source - Drain Voltage V
SD
(V)
10
0
10
1
10
-1
V
GS
= 0
250
μ
s Pulse Test
150
C
25
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB2D0N60SA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D0P30SA | P-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D5PS30QA | SBD and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB4D0N30SA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMB6D0DN30QA | Dual N-Ch Trench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB060N60PA_08 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| KMB075N75P | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-220AB PACKAGE |
| KMB080N75PA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| KMB0A-21-A10SN-A101 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:KM AUSTRALIAN PRODUCT - Bulk |
| KMB110F | 制造商:ASEMI 制造商全稱:ASEMI 功能描述:Schottky Surface Mount Flat Bridge Rectifier |
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