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參數(shù)資料
| 型號： | KMB010P30QA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | P-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | 的P -溝道MOSFET總 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 475K |
| 代理商： | KMB010P30QA |
2007. 6. 29
4/4
KMB010P30QA
Revision No : 1
16
8
0
0
48
32
64
40
24
56
10
8
6
4
2
Fig7. V
GS
- Q
g
G
G
Total Gate Charge Q
g
(nC)
V
DS
=-15V
I
D
=-10A
Square Wave Pulse Duration (sec)
10
1
10
2
10
3
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
Fig9. Transient Thermal Response Curve
t
1
t
2
P
DM
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
θ
JA
= 62.5
C/W
t
1
t
2
0.02
0.1
0.2
Duty Cycle = 0.5
0.05
D
D
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
Fig8. Safe Operation Area
10
1
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
10
0
10
2
V
= 10V
SINGLE PULSE
1ms
10ms
10s
DC
100ms
1s
Single Pluse
10
-2
10
-1
10
0
N
Operation in this
area is limited by R
DS(ON)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB014P30QA | P-Ch Trench MOSFET |
| KMB060N60PA | N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| KMB2D0N60SA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D0P30SA | P-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D5PS30QA | SBD and P-Ch Trench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB011CEVAL | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:CMOS MOTHERBOARD - Bulk |
| KMB012N30Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
| KMB012N30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N-Ch Trench MOSFET |
| KMB014P30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:P-Ch Trench MOSFET |
| KMB020-165G | 制造商:Advanced Interconnect 功能描述: |
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