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參數(shù)資料
| 型號： | KMB010P30QA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | P-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | 的P -溝道MOSFET總 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 475K |
| 代理商： | KMB010P30QA |
2007. 6. 29
3/4
KMB010P30QA
Revision No : 1
0
0
2
5
10
15
20
25
4
6
8
12
10
V
GS
=3.0V
V
GS
=10,9,8,7,6,5,4V
Drain-Source Volatage V
DS
(V)
700
00
1400
2100
2800
3500
4200
5
10
20
30
15
25
D
0.6
0.8
1.2
1.8
1.6
1.0
1.4
0
125
75
100
50
-25
25
-55
V
GS
=-20V
I
D
=-10A
Junction Temperature Tj ( )
Ciss
Crss
-50
-25
25
50
125
75
100
0
0.6
0.7
0.8
0.9
1.3
1.0
1.1
1.2
Junction Temperature Tj ( )
V
GS
=V
DS
I
D
=-250
μ
A
V
t
Fig1. I
D
- V
DS
D
D
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
0
0
0.5
5
10
15
20
25
1
1.5
2
3
2.5
Fig2. I
D
- V
GS
D
D
Gate - Source Voltage V
GS
(V)
C
Fig3. C - V
DS
Fig4. R
DS(ON)
- T
j
Fig5. V
th
- T
j
25
C
125
C
-55
C
Coss
0.6
0.4
1
0.9
0.7
1.3
1.1
20
10
V
GS
=0V
Fig 6. I
DR
- V
SDF
R
D
(
Source-Drain Forword Voltage V
SDF
(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB014P30QA | P-Ch Trench MOSFET |
| KMB060N60PA | N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| KMB2D0N60SA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D0P30SA | P-Ch Trench MOSFET |
| KMB3D5PS30QA | SBD and P-Ch Trench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB011CEVAL | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:CMOS MOTHERBOARD - Bulk |
| KMB012N30Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
| KMB012N30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N-Ch Trench MOSFET |
| KMB014P30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:P-Ch Trench MOSFET |
| KMB020-165G | 制造商:Advanced Interconnect 功能描述: |
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