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參數(shù)資料
| 型號： | KM718B86 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 64Kx18-Bit Synchronous SRAM(64Kx18位同步靜態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 64Kx18位同步SRAM（64Kx18位同步靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | KM718B86 |
PRELIMINARY
KM718B86
64Kx18 Synchronous SRAM
- 5 -
Rev 1.1
April 1997
CAPACITANCE*
(T
A
=25
°
C, f=1MHz)
*NOTE : Sampled not 100% tested
.
Parameter
Symbol
C
IN
C
OUT
Test Condition
V
IN
=0V
V
OUT
=0V
Min
-
-
Max
5
8
Unit
pF
pF
Input Capacitance
Output Capacitance
TEST CONDITIONS
(T
A
= 0 to 70
°
C, V
DD
=5V
±
5%, unless otherwise specified)
Parameter
Value
0 to 3V
2ns
1.5V
See Fig. 1
Input Pulse Level
Input Rise and Fall Time(Measured at 0.3V and 2.7V)
Input and Output Timing Reference Levels
Output Load
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=0 to 70
°
C, V
DD
=3.3V
±
5%)
* V
IL
(Min)=-3.0(Pulse Width
≤
20ns)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Unit
Input Leakage Current(except ZZ)
Output Leakage Current
I
IL
I
OL
V
DD
=Max ; V
IN
=V
SS
to V
CC
Output Disabled
-2
-2
-
-
-
+2
+2
270
260
250
μ
A
μ
A
Operating Current
I
CC
V
CC
=Max
I
OUT
=0mA
Cycle Time
≥
t
CYC
min
15ns
17ns
20ns
mA
Standby Current
I
SB
Device deselected, I
OUT
=0mA, Min Cycle All
Inputs=V
IH
and V
IL,
V
IH
≥
3V and V
IL
=0V
I
OL
=8.0mA
I
OH
=-4.0mA
-
90
mA
Output Low Voltage
Output High Voltage
Input Low Voltage
Input High Voltage
V
OL
V
OH
V
IL
-
0.4
3.3
0.8
V
V
V
2.4
-0.5*
V
IH
2.2
Vcc+0.5
V
OPERATING CONDITIONS
(0
°
C
≤
T
A
≤
70
°
C)
Parameter
Symbol
V
CC
V
SS
Min
4.75
0
Typ.
5.0
0
Max
5.25
0
Unit
V
V
Supply Voltage
Ground
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM718B90 | 64Kx18-Bit Synchronous SRAM(64Kx18位同步靜態(tài) RAM) |
| KM718BV87 | 64Kx18-Bit Synchronous SRAM(64Kx18位同步靜態(tài) RAM) |
| KM718V687 | 64Kx18 Synchronous SRAM(64Kx18位同步靜態(tài) RAM) |
| KM718V787 | 128Kx18 Synchronous SRAM(128Kx18位同步靜態(tài) RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM718FV4021 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| KM718FV4021H-5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| KM718FV4021H-6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| KM718FV4021H-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
| KM718N | 制造商:FRONTIER 制造商全稱:Frontier Electronics. 功能描述:10mm Adjustable Unshielded IFT Coils |
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