參數(shù)資料
型號(hào)： KM41V4000D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： RES,Film,0.33Ohms,250WV,200ppm-TC,4112-Case RoHS Compliant: Yes
中文描述： 4米× 1位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的快速頁(yè)面模式
文件頁(yè)數(shù)： 6/20頁(yè)
文件大?。?/td> 340K
代理商： KM41V4000D
KM41C4000D, KM41V4000D
CMOS DRAM
AC CHARACTERISTICS
(0
°
C
≤
T
A
≤
70
°
C, See note 2)
Note) *1 : 5V only
Parameter
Symbol
-5
*1
-6
-7
Units
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Data set-up time
t
DS
t
DH
t
REF
t
REF
t
WCS
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CPWD
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CPT
t
CPA
t
PC
t
PRWC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
WTS
t
WTH
t
WRP
t
WRH
t
RASS
t
RPS
t
CHS
0
0
0
ns
9
Data hold time
10
10
15
ns
9
Refresh period (Normal)
16
16
16
ms
Refresh period (L-ver)
128
128
128
ms
Write command set-up time
0
0
0
ns
7
CAS to W delay time
15
15
20
ns
7
RAS to W delay time
50
60
70
ns
7
Column address to W delay time
25
30
35
ns
7
CAS precharge to W delay time
30
35
40
ns
7
CAS set-up time (CAS-before-RAS refresh)
10
10
10
ns
CAS hold time (CAS-before-RAS refresh)
10
10
15
ns
RAS to CAS precharge time
5
5
5
ns
CAS precharge time (C-B-R counter test cycle)
20
20
25
ns
Access time from CAS precharge
30
35
40
ns
3
Fast Page mode cycle time
35
40
45
ns
Fast Page read-modify-write cycle time
53
60
70
ns
CAS precharge time (Fast Page cycle)
10
10
10
ns
RAS pulse width (Fast Page cycle)
50
200K
60
200K
70
200K
ns
RAS hold time from CAS precharge
30
35
40
ns
Write command set-up time (Test mode in)
10
10
10
ns
Write command hold time (Test mode in)
10
10
10
ns
W to RAS precharge time (C-B-R refresh)
10
10
10
ns
W to RAS hold time (C-B-R refresh)
10
10
10
ns
RAS pulse width (C-B-R self refresh)
100
100
100
us
14,15,16
RAS precharge time (C-B-R self refresh)
90
110
130
ns
14,15,16
CAS Hold time (C-B-R self refresh)
-50
-50
-50
ns
14,15,16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM4211IM8TR3 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211IM8 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211IC8 Multiconductor Cable; Number of Conductors:9; Conductor Size AWG:18; No. Strands x Strand Size:19 x 30; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes; Conductor Material:Copper; Features:Unshielded RoHS Compliant: Yes
KM4211IC8TR3 Multiconductor Cable; Number of Conductors:9; Conductor Size AWG:18; No. Strands x Strand Size:19 x 30; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Conductor Material:Copper; Features:Unshielded; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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KM4200IC8 功能描述:高速運(yùn)算放大器 SOIC-8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
KM4200IC8TR3 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Dual RRO amplifier 26Mhz RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
KM4200IC8TR3_NL 功能描述:高速運(yùn)算放大器 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
KM4200IC8TR3_Q 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Dual RRO amplifier 26Mhz RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
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