參數(shù)資料
型號： KM416V4004C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶擴展數(shù)據(jù)輸出))
中文描述： 4米× 16位的擴展數(shù)據(jù)輸出的CMOS動態(tài)RAM（4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器（帶擴展數(shù)據(jù)輸出））
文件頁數(shù)： 35/36頁
文件大小： 732K
代理商： KM416V4004C
KM416V4004C,KM416V4104C
CMOS DRAM
OPEN
CAS - BEFORE - RAS SELF REFRESH CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RPS
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RASS
t
RPC
t
CP
t
RPC
t
CSR
t
CEZ
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ7
V
OH
-
V
OL
-
DQ8 ~ DQ15
t
WRP
t
WRH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
CHS
t
CP
t
CSR
t
CHS
TEST MODE IN CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RP
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RC
t
RPC
t
CP
t
RPC
t
CSR
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ15
t
CHR
t
CP
t
CSR
t
CHR
t
RP
t
RP
Don
′
t care
Undefined
t
WTS
t
WTH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
CEZ
t
RAS
相關PDF資料
PDF描述
KM416V4100B 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式))
KM41V4000D RES,Film,0.33Ohms,250WV,200ppm-TC,4112-Case RoHS Compliant: Yes
KM4211IM8TR3 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211IM8 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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