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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM29W32000TS |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8 位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 4米× 8位NAND閃存（4米× 8位的NAND閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 11/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 301K |
| 代理商： | KM29W32000TS |
KM29W32000TS
FLASH MEMORY
11
* Input Data Latch Cycle
CE
CLE
WE
I/O
0
~
7
DIN 0
DIN 1
DIN 511
ALE
t
ALS
t
CLH
t
WC
t
CH
t
DS
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
WP
t
WH
t
DH
t
WP
t
WP
* Sequential Out Cycle after Read
(CLE=L, WE=H, ALE=L)
RE
CE
R/B
I/O
0
~
7
tRHZ*
Dout
Dout
Dout
t
RC
t
REA
t
RR
t
RHZ*
t
REA
t
REH
t
REA
t
CHZ*
t
RHZ
t
RP
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM29W8000IT | 1M x 8 Bit NAND Flash Memory(1M x 8 位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29W8000T | 1M x 8 Bit NAND Flash Memory(1M x 8 位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
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| KM4110IT5TR3 | 0.5mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 75MHz Rail-to-Rail Amplifiers |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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