- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374352 > KM29V16000AT (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM29V16000AT |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 200萬× 8位NAND閃存（2米× 8位的NAND閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 268K |
| 代理商： | KM29V16000AT |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)當(dāng)前第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)
KM29V16000AT, KM29V16000AIT
FLASH MEMORY
18
Figure 5. Sequential Row Read1 Operation
Figure 4. Read2 Operation
50H
Busy(Seek Time)
A
0
~ A
2
& A
8
~ A
20
Data Output(Sequential)
Spare Field
CE
CLE
ALE
R/B
WE
Data Field
Spare Field
Data Field
Spare Field
00H
A
0
~ A
7
& A
8
~ A
20
I/O
0
~
7
R/B
Start Add.(3Cycle)
Start Add.(3Cycle)
Data Output
Data Output
Data Output
1st
2nd
Nth
(264 Byte)
(264 Byte)
(A
3
~ A
7
:
Don't Care)
1st
2nd
Nth
I/O
0 ~ 7
RE
Seek Time
t
R
t
R
t
R
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM29V32000IT | FLASH MEMORY |
| KM29V32000TS | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29V32000T | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29V64000R | FLASH |
| KM29V64000TS | 8M X 8 BIT NAND FLSH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM29V16000ATS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KM29V32000IT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KM29V32000T | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KM29V32000TS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29V64000R | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。