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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM29V16000AT |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 8位NAND閃存（2米× 8位的NAND閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 268K |
| 代理商： | KM29V16000AT |
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KM29V16000AT, KM29V16000AIT
FLASH MEMORY
15
SEQUENTIAL ROW READ OPERATION
CE
CLE
R/B
I/O
0 ~ 7
WE
ALE
RE
00H
A
0
~ A
7
Busy
M
Output
A
8
~ A
15
A
16
~ A
20
Dout
N
Dout
N+1
Dout
N+2
Dout
263
Dout
0
Dout
1
Dout
2
Dout
263
Busy
M+1
Output
N
Ready
PAGE PROGRAM OPERATION
CE
CLE
R/B
I/O
0 ~ 7
WE
ALE
RE
80H
70H
I/O0
Din
N
1 up to 264 Byte Data
Serial Input
Din
N+1
Din
263
10H
A
0
~ A
7
A
16
~ A
20
A
8
~ A
15
Sequential Data
Input Command
Column
Address
Page(Row)
Address
Program
Command
Read Status
Command
I/O
0
=0 Successful Program
I/O
0
=1 Error in Program
t
PROG
t
WB
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM29V32000IT | FLASH MEMORY |
| KM29V32000TS | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29V32000T | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29V64000R | FLASH |
| KM29V64000TS | 8M X 8 BIT NAND FLSH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM29V16000ATS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KM29V32000IT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KM29V32000T | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KM29V32000TS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:4M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29V64000R | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH |
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