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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM29U64000IT |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 8米× 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 19/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 481K |
| 代理商： | KM29U64000IT |
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KM29U64000T, KM29U64000IT
FLASH MEMORY
19
BLOCK ERASE OPERATION
(ERASE ONE BLOCK)
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
60H
A
17
~ A
22
A
9
~ A
16
Auto Block Erase Setup Command
Erase Command
Read Status
Command
I/O
0
=0 Successful Erase
I/O
0
=1 Error in Erase
DOH
70H
I/O
0
Busy
≈
MANUFACTURE & DEVICE ID READ OPERATION
CE
CLE
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
90H
Read ID Command
Maker Code
Device Code
00H
ECH
E6H
t
WB
t
BERS
t
WC
t
WC
t
READID
Block
Address
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM29U64000T | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| KM29U64000K1 | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory(8M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29V040IT | 512K x 8 Bit NAND Flash Memory(512K x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29V040T | 512K x 8 Bit NAND Flash Memory(512K x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29V16000AIT | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM29U64000T | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| KM29V16000AIT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KM29V16000AR | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29V16000ARS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M X 8 BIT NAN FLASH MEMORY |
| KM29V16000AT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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