參數(shù)資料
型號(hào)： KBE00S003M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
中文描述： 1Gb的NAND * 2 256Mb的移動(dòng)SDRAM * 2
文件頁數(shù)： 62/86頁
文件大小： 1808K
代理商： KBE00S003M
MCP MEMORY
62
KBE00S003M-D411
Revision 1.0
May 2005
*NOTE:
1. SAMSUNG can support tRDL=2CLK.
2. tBDL : 1 CLK ; Last data in to burst stop delay.
Read or write burst stop command is valid at every burst length.
3. Number of valid output data after row precharge or burst stop : 1, 2 for CAS latency= 2, 3 respectively.
4. PRE : All banks precharge is necessary.
MRS can be issued only at all banks precharge state.
1
2
1
2
*4
tRP
2CLK
tRDL
*1
tBDL
*2
8. Burst Stop & Interrupted by Precharge
9. MRS
1) Normal Write
BL=4 & tRDL=2CLK
D
0
D
1
D
2
2) Write Burst Stop (BL=8)
CMD
DQ
CLK
DQM
WR
PRE
CLK
CMD
DQM
DQ
WR
STOP
D
0
D
1
D
2
D
3
3) Read Interrupted by Precharge (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
PRE
Q
0
Q
1
Q
0
Q
1
4) Read Burst Stop (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
STOP
Q
0
Q
1
Q
0
Q
1
1) Mode Register Set
CLK
CMD
PRE
MRS
ACT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00S003M-D411 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBJ408G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBJ4005G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBJ401G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBJ402G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S009M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KB-E100SRW 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 90mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長(zhǎng):628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube
KB-E100SURKW 功能描述:LED條和陣列 8.89X3.81MM RED LT BAR LED DISPLAY RoHS:否 制造商:Avago Technologies 產(chǎn)品:LED Light Bars 照明顏色:Red 光強(qiáng)度:45 mcd 封裝:Tube
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