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參數(shù)資料
| 型號： | K9F4G08U0M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 512M x 8位/ 1克× 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 28/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 1076K |
| 代理商： | K9F4G08U0M |
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FLASH MEMORY
28
Advance
K9F4G08U0M
K9K8G08U1M
Two-Plane Block Erase Operation
Block Erase Setup Command
Erase Confirm Command
Read Status Command
2 times repeat
60h
Row Add1,2,3
I/O
0
~
7
R/B
60h
A
9
25
~ A
t
BERS
* For Two-Plane Erase operation, Block address to be erased should be repeated before "D0H" command.
Ex.) Two-Plane Block Erase Operation
CE
CLE
R/B
I/O
X
WE
ALE
RE
60h
Row Add1
D0h
70h
I/O 0
Busy
t
WB
t
BERS
Row Address
t
WC
D0h
70h
Address
Row Add1,2,3
I/O 0 = 0 Successful Erase
I/O 1 =1 Error in Erase
Row Add2 Row Add3
A
12
~ A
17 :
Fixed ’Low’
A
18 :
Fixed ’Low’
A
19
29 :
Fixed ’Low’
A
12
~ A
17 :
Fixed ’Low’
A
18 :
Fixed ’High’
A
19
29 :
valid
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K8G08U1M | 512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9F5608Q0C | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608Q0C-D | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608Q0C-H | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F4G08U0M-PCB0 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K9F4G08U0M-PCB0000 | 制造商:Samsung 功能描述:4GB SLC NORMAL X8 TSOP1 - Trays |
| K9F4G08U0M-PCB0T00 | 制造商:Samsung 功能描述:4GB SLC NORMAL X8 TSOP1 - Trays |
| K9F5608D0C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608D0C-D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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