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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K8S1215EZC-SC1C0 |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/83頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1511K |
| 代理商： | K8S1215EZC-SC1C0 |
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Figure 13. Program Operation Timing
- 39 -
K8S1215E(T/B/Z)C
datasheet NOR FLASH MEMORY
Rev. 1.1
SWITCHING WAVEFORMS
Program Operations
NOTE :
1) PA = Program Address, PD = Program Data, VA = Valid Address for reading status bits.
2) “In progress” and “complete” refer to status of program operation.
3) A16–A24 are don’t care during command sequence unlock cycles.
4) Status reads in this figure is asynchronous read, but status read in synchronous mode is also supported.
Program Command Sequence (last two cycles)
AVD
A16:A24
WE
CE
CLK
tAVDP
tAS
tAH
tDS
tDH
tCH
tWP
tCS
tWPH
tWC
tPGM
tVCS
PA
VA
In
Progress
Complete
PD
PA
A0h
555h
A/DQ0:
A/DQ15
OE
VCC
Read Status Data
VIL
≈
tWEA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8S5515ETC-SC1E0 | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA44 |
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| KA-91-16 | RF TEE ADAPTER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| K8S6415EBB-DE7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-FC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
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