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參數(shù)資料
| 型號： | K4T51043QC-ZCD5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb C-die DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 葷的512Mb芯片DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 629K |
| 代理商： | K4T51043QC-ZCD5 |
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Rev. 1.4 Aug. 2005
DDR2 SDRAM
512Mb C-die DDR2 SDRAM
29. Input waveform timing with differential data strobe enabled MR[bit10]=0, is referenced from the input signal crossing at the V
IH(ac)
level to the differen-
tial data strobe crosspoint for a rising signal, and from the input signal crossing at the V
IL(ac)
level to the differential data strobe crosspoint for a falling sig-
nal applied to the device under test.
30. Input waveform timing with differential data strobe enabled MR[bit10]=0, is referenced from the input signal crossing at the V
IH(dc)
level to the differen-
tial data strobe crosspoint for a rising signal and V
IL(dc)
to the differential data strobe crosspoint for a falling signal applied to the device under test.
tHZ
tRPST end point
T1
T2
VOH + x mV
VOH + 2x mV
VOL + 2x mV
VOL + x mV
tLZ
tRPRE begin point
T2
T1
VTT + 2x mV
VTT + x mV
VTT - x mV
VTT - 2x mV
tLZ,tRPRE begin point = 2*T1-T2
tHZ,tRPST end point = 2*T1-T2
<Test method for tLZ, tHZ, tRPRE and tRPST>
tDS
V
DDQ
V
IH(ac)
min
V
IH(dc)
min
V
REF(dc)
V
IL(dc)
max
V
IL(ac)
max
V
SS
DQS
DQS
tDH
tDS
tDH
Differential Input waveform timing
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4 | KS SERIES KEY SWITCHES |
| K5-C | Adjustable Type Coils |
| K5-N | Adjustable Type Coils |
| K5-N1 | Adjustable Type Coils |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4T51043QC-ZCD6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb C-die DDR2 SDRAM |
| K4T51043QC-ZCE6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb C-die DDR2 SDRAM |
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