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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4T1G084QA-ZCE6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1GB的芯片DDR2內(nèi)存規(guī)格 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/28頁(yè) |
| 文件大小： | 612K |
| 代理商： | K4T1G084QA-ZCE6 |
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Rev. 1.1 Aug. 2005
DDR2 SDRAM
1G A-die DDR2 SDRAM
Parameter
Symbol
DDR2-667
DDR2-533
DDR2-400
Units Notes
min
max
min
max
min
max
CAS to CAS command delay
tCCD
2
2
2
tCK
Write recovery time
tWR
15
x
15
x
15
x
ns
Auto precharge write recovery + precharge time
tDAL
WR+tRP
x
WR+tRP
x
WR+tRP
x
tCK
23
Internal write to read command delay
tWTR
7.5
x
7.5
x
10
x
ns
33
Internal read to precharge command delay
tRTP
7.5
7.5
7.5
ns
11
Exit self refresh to a non-read command
tXSNR
tRFC + 10
tRFC + 10
tRFC + 10
ns
Exit self refresh to a read command
tXSRD
200
200
200
tCK
Exit precharge power down to any non-read com-
mand
tXP
2
x
2
x
2
x
tCK
Exit active power down to read command
tXARD
2
x
2
x
2
x
tCK
9
Exit active power down to read command
(slow exit, lower power)
tXARDS
7 - AL
6 - AL
6 - AL
tCK
9, 10
CKE minimum pulse width
(high and low pulse width)
t
CKE
3
3
3
tCK
36
ODT turn-on delay
t
AOND
2
2
2
2
2
2
tCK
ODT turn-on
t
AON
tAC(min)
tAC(max)+0.
7
tAC(min)
tAC(max)+1
tAC(min)
tAC(max)+1
ns
13, 25
ODT turn-on(Power-Down mode)
t
AONPD
tAC(min)+2
2tCK+tAC(m
ax)+1
tAC(min)+2
2tCK+tAC(m
ax)+1
tAC(min)+2
2tCK+tAC
(max)+1
ns
ODT turn-off delay
t
AOFD
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
tCK
ODT turn-off
t
AOF
tAC(min)
tAC(max)+
0.6
tAC(min)
tAC(max)+ 0.6
tAC(min)
tAC(max)+ 0.6
ns
26
ODT turn-off (Power-Down mode)
t
AOFPD
tAC(min)+2
2.5tCK+tAC(
max)+1
tAC(min)+2
2.5tCK+
tAC(max)+1
tAC(min)+2
2.5tCK+
tAC(max)+1
ns
ODT to power down entry latency
tANPD
3
3
3
tCK
ODT power down exit latency
tAXPD
8
8
8
tCK
OCD drive mode output delay
tOIT
0
12
0
12
0
12
ns
Minimum time clocks remains ON after CKE asyn-
chronously drops LOW
tDelay
tIS+tCK +tIH
tIS+tCK +tIH
tIS+tCK +tIH
ns
24
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