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參數(shù)資料
| 型號： | K4T1G084QA-ZCE6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1GB的芯片DDR2內(nèi)存規(guī)格 |
| 文件頁數(shù)： | 18/28頁 |
| 文件大小： | 612K |
| 代理商： | K4T1G084QA-ZCE6 |
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Rev. 1.1 Aug. 2005
DDR2 SDRAM
1G A-die DDR2 SDRAM
Input/Output capacitance
Electrical Characteristics & AC Timing for DDR2-667/533/400
(0
°
C < T
CASE
< 95
°
C; V
DDQ
= 1.8V + 0.1V; V
DD
= 1.8V + 0.1V)
Refresh Parameters by Device Density
Speed Bins and CL, tRCD, tRP, tRC and tRAS for Corresponding Bin
Parameter
Symbol
DDR2-400/533
DDR2-667
Units
Min
Max
Min
Max
Input capacitance, CK and CK
CCK
1.0
2.0
1.0
2.0
pF
Input capacitance delta, CK and CK
CDCK
x
0.25
x
0.25
pF
Input capacitance, all other input-only pins
CI
1.0
2.0
1.0
2.0
pF
Input capacitance delta, all other input-only pins
CDI
x
0.25
x
0.25
pF
Input/output capacitance, DQ, DM, DQS, DQS
CIO
2.5
4.0
2.5
3.5
pF
Input/output capacitance delta, DQ, DM, DQS, DQS
CDIO
x
0.5
x
0.5
pF
Parameter
Symbol
256Mb
512Mb
1Gb
2Gb
4Gb
Units
Refresh to active/Refresh command time
tRFC
75
105
127.5
195
327.5
ns
Average periodic refresh interval
tREFI
0
°
C
≤
T
CASE
≤
85
°
C
7.8
7.8
7.8
7.8
7.8
μ
s
85
°
C
<
T
CASE
≤
95
°
C
3.9
3.9
3.9
3.9
3.9
μ
s
Speed
DDR2-667(E6)
DDR2-533(D5)
DDR2-400(CC)
Units
Bin (CL - tRCD - tRP)
5 - 5- 5
4 - 4 - 4
3 - 3 - 3
Parameter
min
max
min
max
min
max
tCK, CL=3
5
8
5
8
5
8
ns
tCK, CL=4
3.75
8
3.75
8
5
8
ns
tCK, CL=5
3
8
3.75
8
-
-
ns
tRCD
15
-
15
-
15
-
ns
tRP
15
-
15
-
15
-
ns
tRC
54
-
55
-
55
-
ns
tRAS
39
70000
40
70000
40
70000
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4T1G164QA-ZCD5 | 1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification |
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參數(shù)描述 |
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