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參數(shù)資料
| 型號： | K4S643232C-TC70 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Low Noise Precision Advanced LinCMOS(TM) Single Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125 |
| 中文描述： | 200萬× 32內(nèi)存為512k × 32 × 4銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 43/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 1155K |
| 代理商： | K4S643232C-TC70 |
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K4S643232C
CMOS SDRAM
REV. 1.1 Nov. '99
- 43
#1
1
±
0
0
±
0
0
0
(
)
0.005
-0.001
0.125
-0.035
0
1
0
0
0.25TYP
0~8
°
C
#86
#44
#43
0.010
0.05
MIN
0.008
0.21
±
0.002
±
0.05
0.10MAX
(0.61
0.0197
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1.20
MAX
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1.00
±
0.004
±
0.10
0.891
0.875
22.22
±
0.004
±
0.10
0.20
+0.10
-0.03
86-TSOP2-400F
Unit : Millimeters
PACKAGE DIMENSIONS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S643232E | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232E-TE70 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL(3.3V) |
| K4S643232E-TC45 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232E-TC50 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232E-TC55 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S643232C-TC70000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II Tray |
| K4S643232C-TC80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232C-TC8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4S643232C-TL10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232C-TL55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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