- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374283 > K4S643232C-TC60 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) Low Noise Precision Advanced LinCMOS(TM) Single Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4S643232C-TC60 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Low Noise Precision Advanced LinCMOS(TM) Single Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125 |
| 中文描述： | 200萬× 32內(nèi)存為512k × 32 × 4銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 31/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 1155K |
| 代理商： | K4S643232C-TC60 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁當前第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
CMOS SDRAM
K4S643232C
REV. 1.1 Nov. '99
- 31
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Row Active
(D-Bank)
Write
(D-Bank)
: Don't care
*Note :
1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
3.For -55/60/70/80/10, tRDL=1CLK product can be supported within restricted amounts and it will be distinguished by bucket code
"NV". From the next generation, tRDL will be only 2CLK for every clock frequency
Row Active
(B-Bank)
tRDL
Row Active
(C-Bank)
Precharge
(All Banks)
tCDL
Write
(B-Bank)
Write
(C-Bank)
*Note 1
BA
0
BA
1
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
RAa
RBb
CAa
CBb
RCc
RDd
CCc
CDd
RCc
RDd
RAa
RBb
*Note 2
DAa0
DAa1 DAa2
DAa3
DBb0
DBb1
DBb2 DBb3
DCc0
DCc1
DDd0
DDd1
DDd2
*Note 3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S643232C-TC70 | Low Noise Precision Advanced LinCMOS(TM) Single Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125 |
| K4S643232E | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232E-TE70 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL(3.3V) |
| K4S643232E-TC45 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232E-TC50 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S643232CTC70 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4S643232C-TC70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232C-TC70000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II Tray |
| K4S643232C-TC80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232C-TC8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。