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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S643232C-TC60 |
| 廠(chǎng)商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Low Noise Precision Advanced LinCMOS(TM) Single Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125 |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 32內(nèi)存為512k × 32 × 4銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1155K |
| 代理商： | K4S643232C-TC60 |
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K4S643232C
CMOS SDRAM
REV. 1.1 Nov. '99
- 16
1) Read interrupted by Read (BL=4)
3. CAS Interrupt (I)
CLK
CMD
ADD
Note 1
RD
RD
A
B
QA
0
QB
1
QB
2
QB
3
QB
0
QA
0
QB
1
QB
2
QB
3
QB
0
tCCD
Note 2
2) Write interrupted by Write (BL=2)
3) Write interrupted by Read (BL=2)
WR
WR
A
B
tCCD Note 2
DA
0
DB
1
DB
0
tCDL
Note 3
CLK
CMD
ADD
DQ
WR
RD
A
B
tCCD Note 2
tCDL
Note 3
DA
0
QB
1
QB
0
DA
0
QB
1
QB
0
DQ(CL2)
DQ(CL3)
*Note :
1. By " Interrupt", It is meant to stop burst read/write by external command before the end of burst.
By "CAS Interrupt", to stop burst read/write by CAS access ; read and write.
2. t
CCD
: CAS to CAS delay. (=1CLK)
3. t
CDL
: Last data in to new column address delay. (=1CLK)
DQ(CL2)
DQ(CL3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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