參數(shù)資料
型號(hào)： K4J55323QF-GC15
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Mbit GDDR3 SDRAM
中文描述： 片256Mbit GDDR3 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 26/49頁(yè)
文件大?。?/td> 1027K
代理商： K4J55323QF-GC15
- 26 -
256M GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC
Rev 1.8 (Apr. 2005)
Consecutive READ Bursts
NOP
NOP
READ
NOP
NOP
READ
T0
T1
T2
T8
T8n
T9
T10
/CK
CK
RDQS
DQ
Bank a,
Col n
CL = 8
DO
n
Bank a,
Col b
T10n
T9n
DO
b
COMMAND
ADDRESS
1. DO
n
(or
b
) = data-out from column
n
(or column
b
).
2. Burst length = 4
3. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DQ
n
.
4. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DQ
b
.
5. Shown with nominal t
AC
and t
DQSQ.
6. Example applies when READ commands are issued to different devices or nonconsecutive READs.
7. RDQS will start driving high one half-clock cycle prior to the first falling edge of RDQS.
NOTE :
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
～
～～
～～
～～
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4J55323QF-GC16 256Mbit GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC20 256Mbit GDDR3 SDRAM
K4M51163LE 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4M51163LE-F 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4M51163LE-L 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4J55323QF-GC16 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC20 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM
K4J55323QG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM
K4J55323QG-BC12 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM
K4J55323QG-BC14 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM
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