- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄296260 > K4J52324KI-HC1A0 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4J52324KI-HC1A0 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136 |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136 |
| 文件頁數(shù)： | 54/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1364K |
| 代理商： | K4J52324KI-HC1A0 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁當前第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁
- 58 -
K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
NOTE : 1. The alternative solution for 8bank activation without tFAW restriction is to set tRRD=12ns regardless of frequency. In this case, the minimum number of clock cycles
is determined by dividing the minimum time required with clock cycle time and then rounding off to the next higher integer unconditionally.
Parameter
Symbol
-HC12(800MHz)
-HC14(700MHz)
Unit
NOTE
Min
Max
Min
Max
Row active time
tRAS
25
100K
22
100K
tCK
Row cycle time
tRC
35
-
31
-
tCK
Refresh row cycle time
tRFC
45
-
39
-
tCK
RAS to CAS delay for Read
tRCDR
12
-
10
-
tCK
RAS to CAS delay for Write
tRCDW
8
-
6
-
tCK
Row precharge time
tRP
10
-
9
-
tCK
Row active to Row active
tRRD
8
-
8
-
tCK
Four activate window
tFAW
40
-
40
-
tCK
1
Last data in to Row precharge (PRE or Auto-PRE)
tWR
11
-
10
-
tCK
Last data in to Read command
tCDLR
6
-
5
-
tCK
CAS to CAS command delay
tCCD
BL/2
-
BL/2
-
tCK
Mode register set cycle time
tMRD
7
-
6
-
tCK
Auto precharge write recovery time + Precharge
tDAL
21
-
19
-
tCK
Exit self refresh to Read command
tXSR
20000
-
20000
-
tCK
Exit self refresh to Non-Read command
tXSNR
100
-
100
-
tCK
Power-down exit time
tPDEX
7tCK+tIS
-
6tCK
+tIS
-tCK
Refresh interval time
tREF
-
3.9
-
3.9
us
CKE minimum pulse width
(High and Low pulse width)
tCKE
5-5-
tCK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4M64163PK-BE900 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| K507 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K001 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K004 | 2 ELEMENT, 500 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K5A22NAU | KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, 2 N, SURFACE MOUNT-STRAIGHT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J52324QC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-AC20000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays |
| K4J52324QC-BC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays |
| K4J52324QC-BC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。