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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4J52324KI-HC1A0 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136 |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136 |
| 文件頁數(shù)： | 15/61頁 |
| 文件大小： | 1364K |
| 代理商： | K4J52324KI-HC1A0 |
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K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
[ Table 6 ] Scan Ac Electrical Characteristics
NOTE : 1. The parameter applies only when SEN is asserted.
2. Scan Enable should be issued earlier than other Scan Commands by 3ns.
Figure 6. Scan Initialization Sequence
PARAMETER/CONDITON
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
NOTE
Clock
Clock cycle time
tSCK
40
-
ns
1
Scan Command Time
Scan enable setup time
tSES
20
-
ns
1,2
Scan enable hold time
tSEH
20
-
ns
1
Scan command setup time for SSH, SOE# and SOUT
tSCS
14
-
ns
1
Scan command hold time for SSH, SOE# and SOUT
tSCH
14
-
ns
1
Scan Capture Time
Scan capture setup Time
tSDS
10
-
ns
1
Scan capture hold Time
tSDH
10
-
ns
1
Scan Shift Time
Scan clock to valid scan output
tSAC
-
6
ns
1
Scan clock to scan output hold
tSOH
1.5
-
ns
1
tATH
tATS
tSCS
tSCH
tSCS
tSCH
tSDS tSDH
VALID
tSDS tSDH
VALID
tSES
tSDS tSDH
VALID
tSCS
T = 200us
RESET at power - up
Boundary Scan Mode
Scan Out
Bit0
tSCS
VDD
VDDQ
VREF
RES
(SSH in Scan Mode)
CKE
(Dual-load C/A)
CKE
(Quad-load C/A)
SEN
SCK
SOE#
SOUT
Pins Under Test
NOTE : To set the pre-defined ODT for C/A, a boundary scan mode should be issued after an appropriate ODT initialization sequence with RES
and CKE signals
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4M64163PK-BE900 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| K507 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K001 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K004 | 2 ELEMENT, 500 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K5A22NAU | KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, 2 N, SURFACE MOUNT-STRAIGHT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J52324QC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-AC20000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays |
| K4J52324QC-BC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays |
| K4J52324QC-BC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
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