- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄296260 > K4J52324KI-HC1A0 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4J52324KI-HC1A0 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136 |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136 |
| 文件頁數(shù)： | 4/61頁 |
| 文件大小： | 1364K |
| 代理商： | K4J52324KI-HC1A0 |
第1頁第2頁第3頁當前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁
- 12 -
K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
CAS LATENCY (READ LATENCY)
The CAS latency is the delay, in clock cycles, between the registration of a READ command and the availability of the first bit of output data. The latency
can be set to 7~15 clocks. If a READ command is registered at clock edge n, and the latency is m clocks, the data will be available nominally coincident
with clock edge n+m. Below table indicates the operating frequencies at which each CAS latency setting can be used. Reserved states should not be
used as unknown operation or incompatibility with future versions may result.
[ Table 2 ] CAS Latency
SPEED
Allowable CAS Latency
CL=15
CL=14
CL=12
CL=11
CL=10
1300MHz
O
-
1200MHz
O
-
1000MHz
O
-
800MHz
O
-
700MHz
O
NOP
READ
T0
T5
T7
T7n
CK
COMMAND
T6
RDQS
DQ
CL = 7
NOP
READ
T0
T6
T8
T8n
CK
COMMAND
T7
RDQS
DQ
CL = 8
Burst Length = 4 in the cases shown
Shown with nominal tAC and nominal tDSDQ
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4M64163PK-BE900 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| K507 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K001 | 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K004 | 2 ELEMENT, 500 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| K5A22NAU | KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, 2 N, SURFACE MOUNT-STRAIGHT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J52324QC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-AC20000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays |
| K4J52324QC-BC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays |
| K4J52324QC-BC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。