參數(shù)資料
型號： K4H560438E-ZLB3
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Connector Kit; Contents Of Kit:C14610G0245001 24 position hood PG 21 double latch low profile side entry, C14610A0241021 24 position male insert wire protect, VN162100014 PG 21 gland bushing, For 0.433" - 0.866" diameter cable RoHS Compliant: Yes
中文描述： 256Mb的電子芯片與DDR SDRAM的規(guī)格鉛60 FBGA封裝，免費（符合RoHS）
文件頁數(shù)： 3/26頁
文件大?。?/td> 291K
代理商： K4H560438E-ZLB3
- 3 -
DDR SDRAM
Rev. 2.2 Mar. ’03
K4H561638D
Pin configuration
60Ball CSP
F
VREF
A
B
C
NC
D
NC
E
G
H
J
K
L
M
1
VSSQ
NC
NC
2
3
NC
VSS
VDDQ
DQ3
VSSQ
NC
VDDQ
DQ2
VSSQ
DQS
VSS
DM
CK
CK
A12
CKE
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
7
8
VDD
NC
DQ0
VSSQ
NC
VDDQ
DQ1
VSSQ
NC
VDDQ
NC
VDD
WE
CAS
RAS
CS
BA1
BA0
A0
A10
A2
A1
VDD
A3
9
VDDQ
NC
NC
NC
NC
NC
Pin Name
CLK
CS
CKE
A
0
~ A
12
BA
0
~ BA
1
RAS
CAS
WE
L(U)DQM
DQ
0
~
15
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
Pin Function
System Clock
Chip Select
Clock Enable
Address
Bank Select Address
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Write Enable
Data Input/Output Mask
Data Input/Output
Power Supply/Ground
Data Output Power/Ground
60Ball CSP
F
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
1
2
VSSQ
DQ7
NC
NC
VSSQ
NC
NC
VSSQ
VREF
VSS
VDDQ
VDDQ
CK
A12
A11
A8
A6
A4
3
7
VSS
VDD
DQ6
DQ1
DQ5
DQ2
DQ4
DQ3
DQS
NC
DM
NC
CK
WE
CKE
RAS
A9
BA1
A7
A0
A5
A2
VSS
VDD
8
9
DQ0
VDDQ
VSSQ
NC
VDDQ
NC
VSSQ
NC
VDDQ
NC
VDD
NC
CAS
CS
BA0
A10
A1
A3
60Ball CSP
F
VREF
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
1
VSSQ
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
2
3
DQ15
VSS
VDDQ
DQ13
VSSQ
DQ11
VDDQ
DQ9
VSSQ
UDQS
VSS
UDM
CK
CK
A12
CKE
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
7
8
VDD
DQ0
DQ2
VSSQ
DQ4
VDDQ
DQ6
VSSQ
LDQS
VDDQ
LDM
VDD
WE
CAS
RAS
CS
BA1
BA0
A0
A10
A2
A1
VDD
A3
9
VDDQ
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
NC
16M x 16
32M x 8
64M x 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4H560438E-ZLA2 Rectangular Industrial Connector Housing; Series:C-146; No. of Contacts:6; Gender:Female; Body Material:Aluminum Alloy; Connecting Termination:Screw; Features:Spring Cover; For Use With:C146 Rectangular Circular Connectors RoHS Compliant: Yes
K4H560438E-ZCB0 CSM, CER 103PF 1000V 10% 1210
K4H560438E-ZCB3 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60 FBGA with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-GLB0 DIODE ZENER SINGLE 300mW 36.3Vz 5mA-Izt 0.02522 0.05uA-Ir 30 SOT-23 3K/REEL
K4H560438E-GLB3 DIODE ZENER SINGLE 300mW 39.13Vz 5mA-Izt 0.02518 0.05uA-Ir 30 SOT-23 3K/REEL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4H560438H 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Product Guide
K4H560438H-UC/LA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb H-die DDR SDRAM Specification
K4H560438H-UC/LB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb H-die DDR SDRAM Specification
K4H560438J 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb J-die DDR SDRAM Specification
K4H560438J-LC/LB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb J-die DDR SDRAM Specification
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