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參數(shù)資料
| 型號： | K4H1G0438M-ULA2 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| 中文描述： | 1Gb的的M -模與鉛DDR SDRAM的規(guī)格66 TSOP-II免費（符合RoHS） |
| 文件頁數(shù)： | 53/53頁 |
| 文件大小： | 669K |
| 代理商： | K4H1G0438M-ULA2 |
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REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
QFC timing example for interrupted Writes operation
DQS
DQ’S
2
0
1
5
3
4
6
7
Hi-Z
QFC
t
QCSW
Dout 0 Dout 1
BL = 8
Write
Command
CK
CK
Figure 29. : QFC timing example for Interrupted writes operation
t
QCHWI max
Precharge
Dout 2 Dout 3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H1G0438M-ULB0 | 1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0438M-ULB3 | 1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0838D-TLA2 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H1G0838D-TLB0 | RES, CHIP 1K OHM |
| K4H1G0838E-TCA0 | 128Mb DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H1G0438M-ULB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0438M-ULB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0638C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification |
| K4H1G0638C-UC/LA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification |
| K4H1G0638C-UC/LB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification |
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