參數(shù)資料
型號： K4F661612E
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
中文描述： 4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器的快速頁面模式
文件頁數(shù)： 7/35頁
文件大?。?/td> 400K
代理商： K4F661612E
CMOS DRAM
K4F661612E,
K4F641612E
Industrial Temperature
TEST MODE CYCLE
Parameter
Symbol
-45
-50
-60
Units
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Random read or write cycle time
t
RC
85
95
115
ns
Read-modify-write cycle time
t
RWC
120
138
160
ns
Access time from RAS
t
RAC
50
55
65
ns
3,4,10,12
Access time from CAS
t
CAC
17
18
20
ns
3,4,5,12
Access time from column address
t
AA
28
30
35
ns
3,10,12
RAS pulse width
t
RAS
50
10K
55
10K
65
10K
ns
CAS pulse width
t
CAS
17
10K
18
10K
20
10K
ns
RAS hold time
t
RSH
17
18
20
ns
CAS hold time
t
CSH
50
55
65
ns
Column Address to RAS lead time
t
RAL
28
30
35
ns
CAS to W delay time
t
CWD
37
41
43
ns
7
RAS to W delay time
t
RWD
72
78
88
ns
7
Column Address to W delay time
t
AWD
48
53
58
ns
7
Fast Page mode cycle time
t
PC
36
40
45
ns
Fast Page mode read-modify-write cycle time
t
PRWC
75
81
90
ns
RAS pulse width (Fast page cycle)
t
RASP
50
200K
55
200K
65
200K
ns
Access time from CAS precharge
t
CPA
31
35
40
ns
3
OE access time
t
OEA
17
18
20
ns
OE to data delay
t
OED
17
18
18
ns
OE command hold time
t
OEH
17
18
20
ns
( Note 11 )
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4H1G0838A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 200mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-323 3K/REEL
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K4H281638A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 500mW 6.8Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 5.1 SOD-123 3K/REEL
K4H1G1638A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 500mW 7.5Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 5.7 SOD-123 3K/REEL
K4H643238A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 200mW 7.5Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 5.7 SOD-323 3K/REEL
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參數(shù)描述
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