參數(shù)資料
型號： K4F661612E
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
中文描述： 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的快速頁面模式
文件頁數(shù)： 12/35頁
文件大?。?/td> 400K
代理商： K4F661612E
CMOS DRAM
K4F661612E,
K4F641612E
Industrial Temperature
NOTE : D
IN
= OPEN
UPPER BYTE READ CYCLE
RAS
V
IH
-
V
IL
-
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
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V
IL
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OE
V
IH
-
V
IL
-
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ7
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
t
RAS
t
RC
t
CRP
t
RP
t
CSH
t
RSH
t
CAS
t
RCD
t
RAL
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
CRP
t
AA
t
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CAC
t
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t
RAC
OPEN
DATA-OUT
t
OEZ
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OFF
t
RRH
t
RCH
Don
′
t care
Undefined
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ8 ~ DQ15
t
CRP
t
RPC
t
RCS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4H1G0838A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 200mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-323 3K/REEL
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K4H281638A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 500mW 6.8Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 5.1 SOD-123 3K/REEL
K4H1G1638A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 500mW 7.5Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 5.7 SOD-123 3K/REEL
K4H643238A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 200mW 7.5Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 5.7 SOD-323 3K/REEL
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