參數(shù)資料
型號： K4F661612D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
中文描述： 4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)RAM的快速頁面模式
文件頁數(shù)： 34/35頁
文件大?。?/td> 400K
代理商： K4F661612D
CMOS DRAM
K4F661612D,
K4F641612D
Industrial Temperature
t
CSR
O P E N
CAS - BEFORE - RAS SELF REFRESH CYCLE
N O T E : O E , A = D o n
′
t care
R A S
V
IH
-
V
IL
-
U C A S
V
IH
-
V
IL
-
t
RPS
L C A S
V
IH
-
V
IL
-
t
RASS
t
R P C
t
C P
t
RPC
t
CSR
t
OFF
O P E N
V
O H
-
V
OL
-
D Q 0 ~ D Q 7
V
OH
-
V
OL
-
D Q 8 ~ D Q 1 5
t
WRP
t
W R H
W
V
IH
-
V
IL
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t
C H S
t
C P
t
C H S
TEST MODE IN CYCLE
N O T E : O E , A = D o n
′
t care
R A S
V
IH
-
V
IL
-
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V
IH
-
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-
t
RP
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V
IH
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V
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-
t
R C
t
RPC
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CP
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t
CSR
O P E N
V
OH
-
V
OL
-
D Q 0 ~ D Q 1 5
t
C H R
t
CP
t
CSR
t
C H R
t
RP
t
R A S
t
R P
D o n
′
t care
U n d e f i n e d
t
WTS
t
W T H
W
V
IH
-
V
IL
-
t
OFF
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PDF描述
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K4F641612E 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
K4F661612E 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
K4H1G0838A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 200mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-323 3K/REEL
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