參數(shù)資料
型號： K4F641612E
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
中文描述： 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的快速頁面模式
文件頁數(shù)： 13/35頁
文件大?。?/td> 400K
代理商： K4F641612E
CMOS DRAM
K4F661612E,
K4F641612E
Industrial Temperature
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WORD WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
NOTE : D
OUT
= OPEN
Undefined
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DQ0 ~ DQ7
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DATA-IN
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DS
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DH
DATA-IN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4F661612E 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
K4H1G0838A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 200mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-323 3K/REEL
K4H641638A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 150mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-523 3K/REEL
K4H281638A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 500mW 6.8Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 5.1 SOD-123 3K/REEL
K4H1G1638A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 500mW 7.5Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 5.7 SOD-123 3K/REEL
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參數(shù)描述
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