參數(shù)資料
型號： K4F641612C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： RES, FXD, MF, CHIP, 21.5K, 1%, 1/16W, 0603
中文描述： 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器的快速頁面模式
文件頁數(shù)： 30/35頁
文件大?。?/td> 844K
代理商： K4F641612C
CMOS DRAM
K4F661612C,
K4F641612C
RAS
V
IH
-
V
IL
-
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
V
I/OH
-
V
I/OL
-
DQ0 ~ DQ7
ROW
ADDR
t
CSH
t
RASP
t
RP
t
ASR
Don
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FAST PAGE MODE UPPER BYTE READ - MODIFY - WRITE CYCLE
Undefined
t
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t
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t
WP
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DH
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ADDR
COL.
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IH
-
V
IL
-
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RCD
t
CP
t
CAS
t
CAS
t
CRP
t
CRP
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CRP
V
I/OH
-
V
I/OL
-
DQ8 ~ DQ15
t
DS
t
OEZ
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
t
DS
t
RPC
t
RSH
t
PRWC
OPEN
UCAS
LCAS
t
RCS
t
RAH
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PDF描述
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