參數(shù)資料
型號(hào)： K4F641612C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： RES, FXD, MF, CHIP, 21.5K, 1%, 1/16W, 0603
中文描述： 4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的快速頁(yè)面模式
文件頁(yè)數(shù)： 14/35頁(yè)
文件大?。?/td> 844K
代理商： K4F641612C
CMOS DRAM
K4F661612C,
K4F641612C
t
CRP
RAS
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IH
-
V
IL
-
UCAS
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IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
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OE
V
IH
-
V
IL
-
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
t
RAS
t
RC
t
RP
t
RAL
t
RAD
t
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t
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t
ASC
t
CAH
Don
′
t care
LOWER BYTE WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
NOTE : D
OUT
= OPEN
Undefined
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
WCS
V
IH
-
V
IL
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DQ0 ~ DQ7
t
DS
V
IH
-
V
IL
-
DQ8 ~ DQ15
t
CRP
t
CSH
t
RSH
t
RCD
t
CAS
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WCH
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WP
t
DH
DATA-IN
t
CRP
t
RPC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4F661612C 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
K4F641612D 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
K4F641612D-TI 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
K4F641612D-TP 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
K4F661612D 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
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參數(shù)描述
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