參數(shù)資料
型號: K4E661612B
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
中文描述: 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出
文件頁數(shù): 29/36頁
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代理商: K4E661612B
CMOS DRAM
K4E661612B,
K4E641612B
t
ASC
RAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
V
I/OH
-
V
I/OL
-
DQ0 ~ DQ7
ROW
ADDR
t
CSH
t
RASP
t
RP
t
ASR
Don
t care
HYPER PAGE MODE LOWER BYTE READ - MODIFY - WRITE CYCLE
Undefined
t
RAD
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CAH
t
WP
t
DH
COL.
ADDR
COL.
ADDR
t
ASC
t
CAH
t
RAL
t
RCS
t
CWL
t
CWD
t
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WP
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CWD
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AWD
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t
CWL
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t
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OEA
t
CLZ
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t
CLZ
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OEA
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AA
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DH
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t
RWL
t
RCD
t
CP
t
CAS
t
CAS
t
CRP
t
CRP
t
CRP
V
I/OH
-
V
I/OL
-
DQ8 ~ DQ15
t
DS
t
OEZ
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
t
DS
t
RPC
t
RSH
OPEN
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
HPRWC
t
RCS
t
OLZ
t
OLZ
t
RAH
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