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參數(shù)資料
| 型號： | K4E661611D-TC60 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 7/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 882K |
| 代理商： | K4E661611D-TC60 |
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CMOS DRAM
K4E661611D,
K4E641611D
TEST MODE CYCLE
Parameter
Symbol
-50
-60
Units
Note
Min
Max
Min
Max
Random read or write cycle time
t
RC
89
109
ns
Read-modify-write cycle time
t
RWC
121
145
ns
Access time from RAS
t
RAC
55
65
ns
3,4,10,12
Access time from CAS
t
CAC
18
20
ns
3,4,5,12
Access time from column address
t
AA
30
35
ns
3,10,12
RAS pulse width
t
RAS
55
10K
65
10K
ns
CAS pulse width
t
CAS
13
10K
15
10K
ns
RAS hold time
t
RSH
18
20
ns
CAS hold time
t
CSH
43
50
ns
Column Address to RAS lead time
t
RAL
30
35
ns
CAS to W delay time
t
CWD
35
39
ns
7
RAS to W delay time
t
RWD
72
84
ns
7
Column Address to W delay time
t
AWD
47
54
ns
7
Hyper Page cycle time
t
HPC
25
30
ns
20
Hyper Page read-modify-write cycle time
t
HPRWC
53
61
ns
20
RAS pulse width (Hyper page cycle)
t
RASP
55
200K
65
200K
ns
Access time from CAS precharge
t
CPA
33
40
ns
3
OE access time
t
OEA
18
20
ns
OE to data delay
t
OED
18
20
ns
OE command hold time
t
OEH
18
20
ns
( Note 11 )
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E641611D-TC60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B-L | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B-TC | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612B-L | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E661612B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612B-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612B-TC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612C-45 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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