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參數(shù)資料
| 型號： | K4E661611D-TC60 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 33/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 882K |
| 代理商： | K4E661611D-TC60 |
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CMOS DRAM
K4E661611D,
K4E641611D
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* In Hidden refresh cycle of 64Mb A-die & B-die, when CAS signal transits from Low to High, the valid data may be cut off.
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RAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E641611D-TC60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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| K4E641612B-L | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B-TC | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612B-L | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| K4E661612C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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