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參數(shù)資料
| 型號： | K4E170412D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 4位的CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 17/21頁 |
| 文件大小： | 256K |
| 代理商： | K4E170412D |
K4E170411D, K4E160411D
K4E170412D, K4E160412D
CMOS DRAM
Don
′
t care
RAS - ONLY REFRESH CYCLE*
NOTE : W, OE, D
IN
′
t care
Undefined
D
OUT
= OPEN
RAS
V
IH
-
V
IL
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CAS
V
IH
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V
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A
V
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ROW
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RC
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RP
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CRP
OPEN
CAS - BEFORE - RAS REFRESH CYCLE
NOTE : OE , A = Don
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RAS
V
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RC
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CP
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DQ0 ~ DQ3(7)
t
WRP
t
WRH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| K4E160812D | Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 330uF; Voltage: 35V; Case Size: 10x20 mm; Packaging: Bulk |
| K4E170811D | 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E170812D | 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| K4E170812D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E171611D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E171612D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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