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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4E160412D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 4位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/21頁(yè) |
| 文件大小： | 256K |
| 代理商： | K4E160412D |
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K4E170411D, K4E160411D
K4E170412D, K4E160412D
CMOS DRAM
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HYPER PAGE READ-MODIFY-WRITE CYCLE
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DATA-OUT
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DATA-OUT
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DATA-IN
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DQ0 ~ DQ3(7)
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RSH
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OLZ
t
OLZ
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HPRWC
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CAC
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AA
t
RAH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E170411D | 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E170412D | 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E160811D | 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E160812D | Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 330uF; Voltage: 35V; Case Size: 10x20 mm; Packaging: Bulk |
| K4E170811D | 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E160811D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E160812D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E170411D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E170412C-FC60 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:DRAM Chip EDO 16M-Bit 4Mx4 3.3V 24-Pin TSOP-II |
| K4E170412D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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