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參數(shù)資料
| 型號： | K4E151611D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 100萬× 16的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 14/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 553K |
| 代理商： | K4E151611D |
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K4E171611D, K4E151611D
K4E171612D, K4E151612D
CMOS DRAM
RAS
V
IH
-
V
IL
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UCAS
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IH
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V
IL
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A
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IL
-
W
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OE
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UPPER BYTE WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
NOTE : D
OUT
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V
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WCS
V
IH
-
V
IL
-
DQ0 ~ DQ7
V
IH
-
V
IL
-
DQ8 ~ DQ15
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WCH
t
WP
t
DS
t
DH
DATA-IN
t
CRP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E151612D | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E171611D | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E171612D | Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 100V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk |
| K4E160411D | Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 35V; Case Size: 10x16 mm; Packaging: Bulk |
| K4E160412D | 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E151611D-JC60000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:# 76-58489 |
| K4E151611DTC60 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4E151612D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E160411C-BC60 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:DRAM Chip EDO 16M-Bit 4Mx4 5V 24-Pin SOJ |
| K4E160411D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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