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參數(shù)資料
| 型號： | K4E151611 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 100萬× 16的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 2/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 553K |
| 代理商： | K4E151611 |
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K4E171611D, K4E151611D
K4E171612D, K4E151612D
CMOS DRAM
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
N.C
N.C
W
RAS
*A11(N.C)
*A10(N.C)
A0
A1
A2
A3
V
CC
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
N.C
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
PIN CONFIGURATION
(Top Views)
Pin Name
Pin Function
A0 - A11
Address Inputs (4K Product)
A0 - A9
Address Inputs (1K Product)
DQ0 - 15
Data In/Out
V
SS
Ground
RAS
Row Address Strobe
UCAS
Upper Column Address Strobe
LCAS
Lower Column Address Strobe
W
Read/Write Input
OE
Data Output Enable
V
CC
Power(+5V)
Power(+3.3V)
N.C
No Connection
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
N.C
W
RAS
*A11(N.C)
*A10(N.C)
A0
A1
A2
A3
V
CC
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
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33
32
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30
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25
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*A10 and A11 are N.C for K4E151611(2)D(5V/3.3V,
1K Ref.
product)
J : 400mil 42 SOJ
T : 400mil 50(44) TSOP II
K4E17(5)1611(2)D-J
K4E17(5)1611(2)D-T
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E151611D | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E151612D | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E171611D | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E171612D | Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 100V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk |
| K4E160411D | Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 35V; Case Size: 10x16 mm; Packaging: Bulk |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E151611CTC50 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:New |
| K4E151611D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E151611D-JC60000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:# 76-58489 |
| K4E151611DTC60 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4E151612D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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