參數(shù)資料
型號(hào)： K4E151611
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
中文描述： 100萬× 16的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出
文件頁數(shù)： 15/35頁
文件大?。?/td> 553K
代理商： K4E151611
K4E171611D, K4E151611D
K4E171612D, K4E151612D
CMOS DRAM
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
ROW
ADDRESS
t
RAS
t
RC
t
CRP
t
RP
t
CSH
t
RSH
t
RCD
t
CAS
t
RAL
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CRP
Don
′
t care
WORD WRITE CYCLE ( OE CONTROLLED WRITE )
NOTE : D
OUT
= OPEN
Undefined
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
V
IH
-
V
IL
-
DQ0 ~ DQ7
V
IH
-
V
IL
-
DQ8 ~ DQ15
t
CRP
t
RSH
t
RCD
t
CAS
t
CRP
t
RWL
t
WP
t
CWL
t
DH
t
DH
DATA-IN
COLUMN
ADDRESS
t
OEH
t
OED
t
DS
t
DS
DATA-IN
t
CSH
t
CAH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4E151611D 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E151612D 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E171611D 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E171612D Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 100V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk
K4E160411D Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 35V; Case Size: 10x16 mm; Packaging: Bulk
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4E151611CTC50 制造商:SAMSUNG 功能描述:New
K4E151611D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E151611D-JC60000 制造商:Samsung SDI 功能描述:# 76-58489
K4E151611DTC60 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K4E151612D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*