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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4D553238F-JC40 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 13/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 297K |
| 代理商： | K4D553238F-JC40 |
256M GDDR SDRAM
K4D553238F-JC
- 13 -
Rev 1.0 (Mar. 2004)
AC CHARACTERISTICS
Simplified Timing @ BL=2, CL=4
Parameter
Sym-
bol
-2A
-33
-36
-40
-50
Unit
Note
Min
-
2.86
0.45
0.45
-0.6
-0.6
-
0.9
0.4
0.85
0
0.35
0.4
0.4
0.4
0.9
0.9
0.35
0.35
tCLmin
or
tCHmin
tHP
-0.35
Max
Min
-
3.3
0.45
0.45
-0.6
-0.6
-
0.9
0.4
0.85
0
0.35
0.4
0.4
0.4
0.9
0.9
0.35
0.35
tCLmin
or
tCHmin
tHP
-0.35
Max
Min
-
3.6
0.45
0.45
-0.6
-0.6
-
0.9
0.4
0.85
0
0.35
0.4
0.4
0.4
0.9
0.9
0.40
0.40
tCLmin
or
tCHmin
tHP
-0.4
Max
Min
4.0
-
0.45
0.45
-0.6
-0.6
-
0.9
0.4
0.85
0
0.35
0.4
0.4
0.4
0.9
0.9
0.40
0.40
tCLmin
or
tCHmin
tHP
-0.4
Max
Min
5.0
-
0.45
0.45
-0.7
-0.7
-
0.9
0.4
0.8
0
0.3
0.4
0.4
0.4
1.0
1.0
0.45
0.45
tCLmin
or
tCHmin
tHP-
0.45
Max
CK cycle time
CL=3
CL=4
t
CK
10
10
10
10
10
ns
ns
tCK
tCK
ns
ns
ns
tCK
tCK
tCK
ns
tCK
tCK
tCK
tCK
ns
ns
ns
ns
CK high level width
CK low level width
DQS out access time from CK
Output access time from CK
Data strobe edge to Dout edge
t
DQSQ
Read preamble
Read postamble
CK to valid DQS-in
DQS-In setup time
DQS-in hold time
DQS write postamble
DQS-In high level width
DQS-In low level width
Address and Control input setup
t
IS
Address and Control input hold
t
IH
DQ and DM setup time to DQS
t
DS
DQ and DM hold time to DQS
t
CH
t
CL
t
DQSCK
t
AC
0.55
0.55
0.6
0.6
0.35
1.1
0.6
1.15
-
-
0.6
0.6
0.6
-
-
-
-
0.55
0.55
0.6
0.6
0.35
1.1
0.6
1.15
-
-
0.6
0.6
0.6
-
-
-
-
0.55
0.55
0.6
0.6
0.40
1.1
0.6
1.15
-
-
0.6
0.6
0.6
-
-
-
-
0.55
0.55
0.6
0.6
0.40
1.1
0.6
1.15
-
-
0.6
0.6
0.6
-
-
-
-
0.55
0.55
0.7
0.7
0.45
1.1
0.6
1.2
-
-
0.6
0.6
0.6
-
-
-
-
1
t
RPRE
t
RPST
t
DQSS
t
WPRES
t
WPREH
t
WPST
t
DQSH
t
DQSL
t
DH
Clock half period
t
HP
-
-
-
-
-
ns
1
Data output hold time from DQS
t
QH
-
-
-
-
-
ns
1
1
3
4
6
7
tCL
tCK
CK, CK
DQS
DQ
CS
DM
2
5
tIS
tIH
8
tDS tDH
0
tRPST
tRPRE
Db0
Db1
tDQSS
tDQSH
tDQSL
tCH
Qa1
Qa2
COMMAND
READA
WRITEB
tDQSQ
t
WPRES
t
WPREH
tDQSCK
tAC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4D553238F-JC50 | 256Mbit GDDR SDRAM |
| K4E151611 | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E151611D | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E151612D | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E171611D | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| K4D55323QF-GC33 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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| K4D623238B-GC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64Mbit DDR SDRAM |
| K4D623238B-GC/L33 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64Mbit DDR SDRAM |
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