參數(shù)資料
型號： K4D263238E
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp 150 Deg Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 100V; Case Size: 12.5x25 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 100萬x 32Bit的× 4銀行圖形雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM的雙向數(shù)據(jù)選通和DLL
文件頁數(shù)： 13/17頁
文件大?。?/td> 310K
代理商： K4D263238E
128M GDDR SDRAM
K4D263238E-GC
- 13 -
Rev 1.7 (Nov. 2003)
AC CHARACTERISTICS
*1.
The cycle to cycle jitter over 1~6 cycle short term jitter.
Parameter
Symbol
-25
-2A
-33
-36
-40
-45
Unit Note
Min
-
-
2.5
0.45
Max
Min
-
2.86
-
0.45
Max
Min
-
3.3
Max
Min
-
3.6
Max
Min
-
4.0
Max
Min
4.5
-
Max
CK cycle time
CL=3
CL=4
CL=5
t
CK
4
4
10
10
10
10
ns
ns
ns
tCK
tCK
ns
ns
ns
tCK
tCK
tCK
ns
tCK
tCK
tCK
tCK
ns
ns
ns
ns
CK high level width
t
CH
t
CL
t
DQSCK
t
AC
t
DQSQ
t
RPRE
t
RPST
t
DQSS
t
WPRES
t
WPREH
t
WPST
t
DQSH
t
DQSL
0.55
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
CK low level width
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
DQS out access time from CK
-0.55
0.55
-0.55
0.55
-0.55
0.55
-0.6
0.6
-0.6
0.6
-0.7
0.7
Output access time from CK
-0.55
0.55
-0.55
0.55
-0.55
0.55
-0.6
0.6
-0.6
-0.6
-0.7
0.7
Data strobe edge to Dout edge
-
0.35
-
0.35
-
0.35
-
0.40
-
0.40
-
0.45
1
Read preamble
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
Read postamble
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
CK to valid DQS-in
0.85
1.15
0.85
1.15
0.85
1.15
0.85
1.15
0.8
1.2
0.8
1.2
DQS-In setup time
0
-
0
-
0
-
0
-
0.
-
0.
-
DQS-in hold time
0.35
-
0.35
-
0.35
-
0.35
-
0.35
-
0.3
-
DQS write postamble
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
DQS-In high level width
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
DQS-In low level width
Address and Control input setup
t
IS
Address and Control input hold
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.9
-
0.9
-
1.0
-
t
IH
t
DS
t
DH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.9
-
0.9
-
1.0
-
DQ and DM setup time to DQS
0.35
-
0.35
-
0.35
-
0.40
-
0.40
-
0.45
-
DQ and DM hold time to DQS
0.35
tCLmin
or
tCHmin
-
tHP-
t
QHS
-
0.35
tCLmin
or
tCHmin
-
tHP-
t
QHS
-
0.35
tCLmin
or
tCHmin
-
tHP-
t
QHS
-
0.40
tCLmin
or
tCHmin
-
tHP-
t
QHS
-
0.40
tCLmin
or
tCHmin
-
tHP-
t
QHS
-
0.45
tCLmin
or
tCHmin
-
tHP-
t
QHS
-
Clock half period
t
HP
-
-
-
-
-
-
ns
1
Data Hold skew factor
t
QHS
0.4
0.4
0.4
0.45
0.45
0.5
ns
Data output hold time from DQS
t
QH
-
-
-
-
-
-
ns
1
Jitter over 1~6 clock cycle error
t
J
*
1
t
DCERR
t
R
, t
F
-
75
-
75
-
85
-
95
-
100
-
105
ps
ps
ps
Cycle to cyde duty cycle error
-
75
-
75
-
85
-
95
-
100
-
105
Rise and fall times of CK
-
600
-
600
-
700
-
700
-
700
-
700
1
3
4
6
7
tCL
tCK
CK, CK
DQS
DQ
CS
DM
2
5
tIS
tIH
8
tDS tDH
0
tRPST
tRPRE
Db0
Db1
tDQSS
tDQSH
tDQSL
tCH
Qa1
Qa2
COMMAND
READA
WRITEB
tDQSQ
t
WPRES
t
WPREH
tDQSCK
tAC
Simplified Timing @ BL=2, CL=4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4D263238E-GC25 DIODE ZENER SINGLE 300mW 15.2Vz 10mA-Izt 0.02535 0.05uA-Ir 12 SOT-23 3K/REEL
K4D263238E-GC2A DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 15.2Vz 10mA-Izt 0.02535 0.05uA-Ir 12 SOT-363 3K/REEL
K4D263238E-GC33 DIODE ZENER SINGLE 300mW 16.1Vz 10mA-Izt 0.02547 0.05uA-Ir 12 SOT-23 3K/REEL
K4D263238E-GC36 DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 16.1Vz 10mA-Izt 0.02547 0.05uA-Ir 12 SOT-363 3K/REEL
K4D263238E-GC40 DIODE ZENER SINGLE 300mW 17.9Vz 10mA-Izt 0.02545 0.05uA-Ir 14 SOT-23 3K/REEL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4D263238E-GC25 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 32Bit x 4 Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL
K4D263238E-GC2A 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 32Bit x 4 Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL
K4D263238E-GC33 制造商:SAMSG 功能描述:
K4D263238E-GC36 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 32Bit x 4 Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL
K4D263238E-GC40 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 32Bit x 4 Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL
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