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參數(shù)資料
| 型號： | K1S32161CC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2Mx16 bit Page Mode Uni-Transistor Random Access Memory |
| 中文描述： | 2Mx16位頁面模式統(tǒng)一晶體管隨機存取存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 10/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 185K |
| 代理商： | K1S32161CC |
Revision 0.0
July 2003
K1S32161CC
- 10 -
U
t
RAM
Preliminary
C
PACKAGE DIMENSION
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
C
B/2
B
C
B
C
Bottom View
Top View
D
E
E
E
C
Side View
0
0
A
Y
Detail A
Min
Typ
Max
A
-
0.75
-
B
5.90
6.00
6.10
B1
-
3.75
-
C
7.90
8.00
8.10
C1
-
5.25
-
D
0.40
0.45
0.50
E
-
0.90
1.00
E1
-
0.55
-
E2
0.30
0.35
0.40
Y
-
-
0.08
B1
#A1
Notes.
1. Bump counts: 48(8 row x 6 column)
2. Bump pitch : (x,y)=(0.75 x 0.75)(typ.)
3. All tolerence are
±
0.050 unless
specified beside figures.
4. Typ : Typical
5. Y is coplanarity: 0.08(Max)
Unit: millimeters
48 BALL FINE PITCH BGA(0.75mm ball pitch)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K1S3216B1C | 2Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory |
| K1S3216B1C-I | 2Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory |
| K1S3216BCD | 2Mx16 bit Page Mode Uni-Transistor Random Access Memory |
| K1S64161CC | 4Mx16 bit Page Mode Uni-Transistor Random Access Memory |
| K1S6416BCC | 4Mx16 bit Page Mode Uni-Transistor Random Access Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K1S32161CC-FI70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx16 bit Page Mode Uni-Transistor Random Access Memory |
| K1S32161CC-I | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2Mx16 bit Page Mode Uni-Transistor Random Access Memory |
| K1S32161CD-BI7000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K1S32161CD-FI70 | 制造商:SEC 功能描述: |
| K1S32161CD-FI70000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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