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參數(shù)資料
| 型號： | JANTXV2N6851U |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（馬鞍山的HEXFET場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | JANTXV2N6851U |
IRFE9230, JANTX-, JANTXV-, JANS-, 2N6851U Device
6
www.irf.com
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
V
DD
DRIVER
A
15V
-10V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
-10V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
1.8A
2.5A
4.0A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANS2N6851U | HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應(yīng)管) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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