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參數(shù)資料
| 型號： | JANTXV2N6851U |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（馬鞍山的HEXFET場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | JANTXV2N6851U |
IRFE9230, JANTX-, JANTXV-, JANS-, 2N6851U Device
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
-10V
-4.0A
1
10
100
4
5
6
7
8
9
VDS
20μs PULSE WIDTH
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
-
D
T = 25 C
°
T = 150 C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-4.5V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-4.5V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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