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參數(shù)資料
| 型號： | JANTXV2N6849U |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（馬鞍山的HEXFET場效應管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | JANTXV2N6849U |
www.irf.com
5
IRFE9130, JANTX-, JANTXV-, JANS-, 2N6849U Device
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
-
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
-10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANS2N6849U | HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應管) |
| JANTX2N6849 | HEXFET POWER MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管) |
| JANTX2N6851U | HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應管) |
| JANTXV2N6851U | HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應管) |
| JANS2N6851U | HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| JANTXV2N6851U | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 200V 4A 18PIN LCC - Bulk |
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| JANTXV2N6898 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 2PIN TO-3 - Bulk |
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