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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JANTXV2N6849U |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（馬鞍山的HEXFET場(chǎng)效應(yīng)管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | JANTXV2N6849U |
www.irf.com
3
IRFE9130, JANTX-, JANTXV-, JANS-, 2N6849U Device
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
-5.5V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-4.5V
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
J
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-4.5V
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
-10V
-6.5A
1
10
100
4
5
6
7
8
9
VDS
20μs PULSE WIDTH
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
-
D
T = 25 C
T = 150 C
°
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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