參數(shù)資料
型號： JANSR2N7389
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
中文描述： 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 122K
代理商： JANSR2N7389
IRHF9130, IRHF93130, JANSR-, JANSF-, 2N7389 Device
Pre-Irradiation
REVIEW ONLY
6
www.irf.com
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
-12V
Pulse Width
￡ 1
μs
Duty Factor
￡ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
-
D
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PDF描述
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