參數(shù)資料
型號(hào)： JANSR2N7389
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
中文描述： 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 122K
代理商： JANSR2N7389
IRHF9130, IRHF93130, JANSR-, JANSF-, 2N7389 Device
REVEW ONLY
www.irf.com
5
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
0.2
1.0
1.8
2.6
3.4
4.2
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
I
100us
1ms
10ms
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
-6.5
V
=-20V
DS
V
=-50V
DS
V
=-80V
DS
Pre-Irradiation
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JANSR2N7390 HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
JANSR2N7424 HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
JANSR2N7426U RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
JANSF2N7426U RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
JANSR2N7440 Formerly Available as FSS913A0R4, Radiation Hardened, SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JANSR2N7389U 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 6.5A 18PIN LCC - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET - Waffle Pack
JANSR2N7390 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL HEXFET RHD QPL - Bulk
JANSR2N7390U 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL HEXFET RHD QPL - Bulk
JANSR2N7392 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL HEXFET RHD QPL - Bulk
JANSR2N7392U 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL HEXFET RHD QPL - Bulk
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