參數(shù)資料
型號： JANSR2N7389
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
中文描述： 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 122K
代理商： JANSR2N7389
IRHF9130, IRHF93130, JANSR-, JANSF-, 2N7389 Device
Pre-Irradiation
REVIEW ONLY
4
www.irf.com
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
1
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
-12V
-6.5A
1
10
100
5
6
7
8
9
10
VDS
20μs PULSE WIDTH
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
-
D
T = 25 C
°
T = 150 C
°
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PDF描述
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JANSF2N7426U RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
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